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AS7C3512-20JC

更新时间: 2024-01-10 17:36:31
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32

AS7C3512-20JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ32,.34
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.69最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.955 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.683 mm
最大待机电流:0.0012 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

AS7C3512-20JC 数据手册

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High Performance  
64K×8 3.3V  
AS7C3512  
AS7C3512L  
CMOS SRAM  
®
Low voltage 64K×8 CMOS SRAM  
Preliminary information  
Features  
• Equal access and cycle times  
• Organization: 65,536 words × 8 bits  
• Single 3.3 ±0.3V power supply  
• 5V tolerant I/O specification  
• High speed  
- 12/15/20/25/35 ns address access time  
- 3/4/5/6/8 ns output enable access time  
• Very low power consumption  
- Active: 250 mW max, 12 ns cycle  
- Standby:9.0 mW max, CMOS I/O  
1.8 mW max, CMOS I/O, L version  
• 2.0V data retention  
• Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• Ideal for cache and portable computing  
- 75% power reduction during CPU idle mode  
• 32-pin JEDEC standard packages  
- 300 mil PDIP and SOJ  
• ESD protection >2000 volts  
• Latch-up current >200 mA  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
DIP, SOJ  
Vcc  
GND  
NC  
NC  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
Vcc  
A15  
CE2  
WE  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE1  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
Input buffer  
A0  
A1  
I/O7  
I/O0  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
256×256×8  
Array  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
(524,288)  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
WE  
OE  
Column decoder  
Control  
circuit  
CE1  
CE2  
A
8
A A A A A A A  
9 10 11 12 13 14 15  
Selection guide  
7C3512-12 7C3512-15 7C3512-20 7C3512-25 7C3512-35 Unit  
Maximum address access time  
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
12  
3
15  
4
20  
5
25  
6
35  
8
ns  
ns  
70  
2.5  
0.5  
65  
2.5  
0.5  
60  
2.5  
0.5  
55  
2.5  
0.5  
50  
2.5  
0.5  
mA  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
L
Shaded areas contain advance information.  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  

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