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AS7C34096-10JCH

更新时间： 2024-02-26 23:10:08
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 269K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36

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AS7C34096-10JCH 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：36
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.66
最长访问时间：10 nsJESD-30 代码：R-PDSO-J36
长度：23.5 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS7C34096-10JCH 数据手册

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December 2001  
AS7C4096  
AS7C34096  
®
5V/3.3V 512K × 8 CMOS SRAM  
Features  
• AS7C4096 (5V version)  
• Low power consumption: STANDBY  
- 110 mW (AS7C4096) / max CMOS  
- 72 mW (AS7C34096) / max CMOS  
• Equal access and cycle times  
• Easy memory expansion with CE, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• JEDEC standard packages  
- 400 mil 36-pin SOJ  
- 44-pin TSOP 2  
• ESD protection ≥ 2000 volts  
• Latch-up current ≥ 200 mA  
• AS7C34096 (3.3V version)  
• Industrial and commercial temperature  
• Organization: 524,288 words × 8 bits  
• Center power and ground pins  
• High speed  
- 10/12/15/20 ns address access time  
- 5/6/7/8 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 1375 mW (AS7C4096) / max @ 12 ns  
- 468 mW (AS7C34096) / max @ 12 ns  
Pin arrangements  
Logic block diagram  
36-pin SOJ (400 mil)  
44-pin TSOP 2  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A18  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A0  
A1  
1
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
NC  
2
V
CC  
2
A18  
A17  
A16  
A15  
OE  
A0  
A1  
3
A2  
3
4
GND  
A3  
4
A2  
A17  
A16  
A15  
OE  
5
A4  
5
A3  
6
Input buffer  
CE  
6
A4  
7
I/O1  
I/O2  
VCC  
GND  
I/O3  
I/O4  
WE  
A5  
7
I/O8  
I/O7  
GND  
VCC  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
CE  
8
8
I/O1  
I/O2  
VCC  
I/O8  
I/O7  
9
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
GND  
I/O1  
I/O8  
VCC  
GND  
I/O3  
I/O4  
WE  
A5  
524,288 × 8  
Array  
(4,194,304)  
I/O6  
I/O5  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
NC  
A6  
A7  
A6  
A8  
A7  
A9  
A8  
A9  
A9  
NC  
NC  
NC  
NC  
Column decoder  
WE  
OE  
CE  
Control  
Circuit  
48-CSP/BGA Package  
1
2
3
4
5
6
A
B
A0  
A1  
NC  
WE  
NC  
NC  
NC  
A18  
CS  
A3  
A6  
A8  
I/O5  
I/O6  
VSS  
A2  
A4  
A7  
I/O1  
I/O2  
VCC  
C
D
E
NC  
NC  
NC  
NC  
OE  
A10  
A5  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
A17  
A16  
A12  
VCC  
I/O7  
I/O8  
A9  
VSS  
F
I/O3  
I/O4  
A14  
G
H
A15  
A13  
A11  
Selection guide  
–10  
10  
5
–12  
–15  
–20  
20  
Unit  
Maximum address access time  
12  
6
15  
7
ns  
Maximum outputenable access time  
9
ns  
AS7C4096  
AS7C34096  
AS7C4096  
AS7C34096  
–
250  
130  
20  
220  
110  
20  
180  
100  
20  
mA  
mA  
mA  
mA  
Maximum operating current  
160  
–
Maximum CMOS standby current  
20  
20  
20  
20  
11/28/01; v.1.7  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...10

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