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AS7C33512NTD36A-133TQCN

更新时间： 2024-11-27 20:18:15

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	425K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

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AS7C33512NTD36A-133TQCN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.52
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.8 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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April 2005

AS7C33512NTD32A

AS7C33512NTD36A

3.3V 512K × 32/36 Pipelined SRAM with NTD^TM

Features

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V

• Self-timed write cycles

• Organization: 524,288 words × 32 or 36 bits

™

• NTD architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 166 MHz

DDQ

• Fast clock to data access: 3.4/3.8 ns

• Fast OE access time: 3.4/3.8 ns

• Fully synchronous operation

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP packages

• Individual byte write and global write

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

Logic block diagram

A[18:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

LBO

512K x 32/36

SRAM

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

CLK

Output

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-166

-133

7.5

133

3.8

275

Units

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

166

3.4

300

MHz

Maximum CMOS standby current (DC)

4/21/05, v 2.8

Alliance Semiconductor

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12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AS7C33512NTD36A-133TQI	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C33512NTD36A-133TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
AS7C33512NTD36A-133TQIN	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
AS7C33512NTD36A-150BC	ISSI	获取价格	SRAM
A-S7C33512NTD36A-166BI	ALSC	获取价格	512KX36 ZBT SRAM, 8.5ns, PBGA165, BGA-165
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AS7C33512NTD36A-166TQI	ALSC	获取价格	3.3V 512K x 32/36 Pipelined SRAM with NTD
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