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AS7C33128PFS16B-166TQI PDF预览

AS7C33128PFS16B-166TQI

更新时间： 2024-11-03 03:34:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 444K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C33128PFS16B-166TQI 数据手册

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AS7C33128PFS16B  
AS7C33128PFS18B  
October 2003  
®
3.3V 128K × 16/18 pipeline burst synchronous SRAM  
Features  
•Byte write enables  
•Multiple chip enables for easy expansion  
•3.3V core power supply  
•2.5V or 3.3V I/O operation with separate V  
•Organization: 131,072 words × 16 or 18 bits  
•Fast clock speeds to 200 MHz in LVTTL/LVCMOS  
•Fast clock to data access: 3.0/3.5/4.0 ns  
•Fast OE access time: 3.0/3.5/4.0 ns  
•Fully synchronous register-to-register operation  
•“Flow-through” or “Pipeline” mode  
•Single-cycle deselect  
DDQ  
•30 mW typical standby power in power down mode  
•NTD™1 pipeline architecture available  
(AS7C33128NTD16B/AS7C33128NTD18B)  
Dual-cycle deselect also available (AS7C33128PFD16B/  
AS7C33128PFD18B)  
•Pentium® compatible architecture and timing  
•Asynchronous output enable control  
•Economical 100-pin TQFP package  
1. Pentium® is a registered trademark of Intel Corporation. NTD™ is a  
trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All trademarks men-  
tioned in this document are the property of their respective owners.  
1
Pin arrangement  
Logic block diagram  
LBO  
CLK  
ADV  
CLK  
CS  
A
NC  
NC  
NC  
1
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
Burst logic  
128K × 16/18  
Memory  
array  
ADSC  
ADSP  
NC  
NC  
V
2
CLR  
3
V
4
DDQ  
SSQ  
NC  
DDQ  
17  
Q
D
A[16:0]  
V
V
5
SSQ  
NC  
Address  
6
17  
CS  
15  
17  
register  
DQpa/NC  
DQa  
DQa  
NC  
7
CLK  
DQb  
DQb  
8
9
V
DDQ  
V
10  
11  
SSQ  
SSQ  
16/18 16/18  
V
V
DDQ  
DQa  
DQa  
VSS  
NC  
DQb 12  
DQb 13  
FT 14  
GWE  
D
Q
BytDeQWb rite  
BW  
b
TQFP 14 × 20mm  
registers  
V
15  
NC 16  
17  
DD  
BWE  
BW  
CLK  
V
DD  
ZZ  
V
D
Q
SS  
BytDeQWa rite  
registers  
DQa  
DQa  
DQb 18  
DQb 19  
2
a
V
SSQ  
V
20  
21  
DDQ  
DDQ  
CLK  
V
V
SSQ  
CE0  
CE1  
CE2  
DQa  
DQa  
NC  
DQb 22  
DQb 23  
OE  
DEnable  
Q
Input  
Output  
registers  
register  
DQpb/NC  
24  
registers  
NC  
NC 25  
CE  
CLK  
CLK  
CLK  
V
DDQ  
V
26  
27  
SSQ  
SSQ  
V
V
DDQ  
DEnable  
Q
NC  
NC  
NC  
NC 28  
NC 29  
NC 30  
Power  
down  
delay  
ZZ  
register  
CLK  
OE  
16/18  
DQ [a,b]  
FT  
Note: pins 24, 74 are NC for ×16.  
Selection guide  
–200  
5
–166  
6
–133  
7.5  
133  
4
Units  
ns  
Minimum cycle time  
Maximum pipelined clock frequency  
Maximum pipelined clock access time  
Maximum operating current  
200  
3
166  
3.5  
350  
100  
30  
MHz  
ns  
400  
120  
30  
325  
90  
mA  
mA  
mA  
Maximum standby current  
Maximum CMOS standby current (DC)  
30  
10/29/03; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 14  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C33128PFS16B-200TQC ISSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C33128PFS16B-200TQI ISSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
AS7C33128PFS18A ETC

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 		3.3V 128K x 16/18 pipeline burst synchronous SRAM
AS7C33128PFS18A-100TQC ALSC

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