Datasheet > 存储 > SRAM> AS7C31026B-20TCN

AS7C31026B-20TCN

更新时间： 2024-01-30 02:28:35

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
10页	123K
描述
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM

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AS7C31026B-20TCN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	10.20 X 18.40 MM, LEAD FREE, TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.67	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS7C31026B-20TCN 数据手册

March 2004

AS7C31026B

3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM

Features

• Industrial and commercial versions

• Organization: 65,536 words × 16 bits

• Center power and ground pins for low noise

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 288 mW / max @ 10 ns

• Easy memory expansion with CE, OE inputs

• TTL-compatible, three-state I/O

• JEDEC standard packaging

- 44-pin 400 mil SOJ

- 44-pin TSOP 2-400

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

• Low power consumption: STANDBY

- 18 mW / max CMOS I/O

• 6 T 0.18 u CMOS technology

Logic block diagram

Pin arrangement

44-Pin SOJ (400 mil), TSOP 2

64 K × 16

Array

GND

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

GND

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O0–I/O7

I/O8–I/O15

I/O

buffer

Control circuit

Column decoder

GND

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A15

A14

A13

A12

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

A10

A11

Selection guide

-10

-12

-15

-20

Unit

Maximum address access time

Maximum output enable access time

Maximum operating current

Maximum CMOS standby current

3/26/04, v 1.3

Alliance Semiconductor

P. 1 of 10

12 3 4 5 6 7...10

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