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AS7C31026B-15TI

更新时间: 2024-01-09 03:57:20
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ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 123K
描述
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM

AS7C31026B-15TI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.65
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e3/e6长度:18.415 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS7C31026B-15TI 数据手册

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March 2004  
AS7C31026B  
®
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM  
Features  
• Industrial and commercial versions  
• Organization: 65,536 words × 16 bits  
• Center power and ground pins for low noise  
• High speed  
- 10/12/15/20 ns address access time  
- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 288 mW / max @ 10 ns  
• Easy memory expansion with CE, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• JEDEC standard packaging  
- 44-pin 400 mil SOJ  
- 44-pin TSOP 2-400  
• ESD protection 2000 volts  
• Latch-up current 200 mA  
• Low power consumption: STANDBY  
- 18 mW / max CMOS I/O  
• 6 T 0.18 u CMOS technology  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
A0  
A1  
44-Pin SOJ (400 mil), TSOP 2  
V
CC  
A2  
64 K × 16  
Array  
GND  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A5  
A4  
A3  
2
A6  
3
A7  
A2  
4
OE  
A1  
5
UB  
A0  
6
LB  
CE  
7
8
9
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O0–I/O7  
I/O8–I/O15  
I/O  
buffer  
Control circuit  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
V
CC  
Column decoder  
WE  
V
GND  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
WE  
A15  
A14  
A13  
A12  
NC  
CC  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
UB  
OE  
LB  
CE  
Selection guide  
-10  
10  
5
-12  
12  
6
-15  
-20  
20  
8
Unit  
ns  
Maximum address access time  
15  
7
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
ns  
80  
5
75  
5
70  
5
65  
5
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
3/26/04, v 1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
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