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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.28 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1021CV33-10VXC | CYPRESS |
功能相似  |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
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| K6R1016V1D-JC10 | SAMSUNG |
功能相似 |
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating). |
|
| CY7C1021BV33-10VC | CYPRESS |
功能相似 |
64K x 16 Static RAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS7C31026B-10JCN | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
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| AS7C31026B-10JI | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-10JIN | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-10TC | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-10TCN | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-10TI | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-10TIN | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-12BCN | ALSC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AS7C31026B-12JC | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
|
| AS7C31026B-12JCN | ALSC |
获取价格 |
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
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