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AS7C251MNTF36A-10TQCN

更新时间： 2024-11-27 20:30:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	414K
描述
ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

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AS7C251MNTF36A-10TQCN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; LATE WRITE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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December 2004

AS7C251MNTF32A

AS7C251MNTF36A

2.5V 1M × 32/36 Flowthrough SRAM with NTD^TM

Features

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

• Self-timed write cycles

• Organization: 1,048,576 words × 32 or 36 bits

™

• NTD architecture for efficient bus operation

• Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns

• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns

• Fully synchronous operation

• Flow-through mode

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP package

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

Logic block diagram

A[19:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

LBO

1M x 32/36

SRAM

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

Output

Buffer

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-75

8.5

7.5

325

140

-85

-10

Units

Minimum cycle time

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

8.5

300

130

275

130

Maximum CMOS standby current (DC)

12/23/04, v 1.1

Alliance Semiconductor

P. 1 of 18

12 3 4 5 6 7...18

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AS7C251MNTF36A-10TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
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