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AS7C251MNTF18A-75TQC

更新时间: 2024-02-18 09:40:02
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ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 433K
描述
2.5V 1M x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C251MNTF18A-75TQC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.53
Is Samacsys:N最长访问时间:7.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

AS7C251MNTF18A-75TQC 数据手册

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December 2004  
AS7C251MNTF18A  
®
2.5V 1M x 18 Flowthrough Synchronous SRAM with NTDTM  
Features  
• Individual byte write and global write  
• Clock enable for operation hold  
• Multiple chip enables for easy expansion  
• 2.5V core power supply  
• Self-timed write cycles  
• Interleaved or linear burst modes  
• Snooze mode for standby operation  
• Organization: 1,048,576 words × 18 bits  
• NTD architecture for efficient bus operation  
• Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns  
• Fast OE access time: 3.5/4.0 ns  
• Fully synchronous operation  
• Flow-through mode  
• Asynchronous output enable control  
• Available in 100-pin TQFP package  
Logic block diagram  
20  
20  
A[19:0]  
Q
D
Address  
register  
burst logic  
CLK  
D
Q
CE0  
CE1  
CE2  
Write delay  
addr. registers  
CLK  
20  
R/W  
BWa  
BWb  
Control  
logic  
CLK  
ADV / LD  
1M x 18  
LBO  
ZZ  
SRAM  
array  
CLK  
18  
18  
DQ [a,b]  
Data  
input  
register  
D
Q
18  
18  
CLK  
18  
CLK  
CEN  
Output  
buffer  
OE  
18  
OE  
DQ [a,b]  
Selection guide  
-75  
-85  
10  
-10  
12  
Units  
ns  
Minimum cycle time  
8.5  
7.5  
275  
90  
Maximum clock access time  
Maximum operating current  
Maximum standby current  
8.5  
250  
80  
10  
ns  
230  
80  
mA  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current (DC)  
60  
60  
60  
12/23/04, v 1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 18  
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