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AS7C251MNTD32A-167TQC

更新时间： 2024-01-08 05:41:50

品牌	Logo	应用领域
ALSC		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C251MNTD32A-167TQC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.85	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

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April 2004

AS7C251MNTD32A

AS7C251MNTD36A

2.5V 1M × 32/36 SRAM with NTD^TM

Features

• Common data inputs and data outputs

• Organization: 1,048,576 words × 32 or 36 bits

• NTD^™1architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 200 MHz in LVTTL/LVCMOS

• Fast clock to data access: 3.1/3.4/3.8 ns

• Fast OE access time: 3.1/3.4/3.8 ns

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP and 165-ball BGA packages

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

• Fully synchronous operation

• Flow-through or pipelined mode

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• Boundary scan using IEEE 1149.1 JTAG function

1. NTD™ is a trademark of Alliance Semiconductor Corporation. All trade-

marks mentioned in this document are the property of their respective owners.

Logic block diagram

A[19:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

1M x 32/36

SRAM

LBO

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

CLK

Output

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-200

-167

-133

7.5

Units

Minimum cycle time

Maximum pipelined clock frequency

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

200

3.1

400

120

167

3.4

350

110

133

3.8

MHz

325

100

Maximum standby current

Maximum CMOS standby current (DC)

4/26/04, V 1.0

Alliance Semiconductor

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AS7C251MNTD32A-167TQI	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD32A-167TQIN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BC	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BCN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD32A-200BI	ALSC	ZBT SRAM, 1MX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格

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