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AS7C251MNTD18A-166BCN

更新时间： 2024-02-24 18:57:10

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
18页	436K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165

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AS7C251MNTD18A-166BCN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.52
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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December 2004

AS7C251MNTD18A

2.5V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD^TM

Features

• Organization: 1,048,576 words × 18 bits

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

™

• NTD architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 166 MHz

• Fast clock to data access: 3.5/3.8 ns

• Fast OE access time: 3.5/3.8 ns

• Fully synchronous operation

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP package

• Individual byte write and global write

Logic block diagram

A[19:0]

Address

burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

BWb

Control

logic

CLK

ADV / LD

1M x 18

LBO

SRAM

array

CLK

DQ [a,b]

Data

input

CLK

CEN

CLK

Output

DQ [a,b]

Selection guide

-166

-133

7.5

133

3.8

270

Units

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

166

3.5

290

MHz

Maximum CMOS standby current (DC)

12/23/04, v.2.2

Alliance Semiconductor

P. 1 of 18

12 3 4 5 6 7...18

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AS7C251MNTD18A-166TQC	ALSC	获取价格	2.5V 1M x 18 Pipelined SRAM with NTD
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