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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP22,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T22 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS7C251MFT18A | ALSC | 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM |
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| AS7C251MFT18A-10BI | ALSC | Standard SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD FREE, BGA-165 |
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| AS7C251MFT18A-10BIN | ALSC | 暂无描述 |
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| AS7C251MFT18A-10TQC | ALSC | 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM |
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| AS7C251MFT18A-10TQCN | ALSC | 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM |
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| AS7C251MFT18A-10TQI | ALSC | 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM |
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