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AS7C1026-12JI

更新时间： 2024-11-05 22:34:07

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	229K
描述
5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM

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AS7C1026-12JI 数据手册

May 2000

AS7C1026

AS7C31026

5V/ 3.3V 64K×16 CMOS SRAM

• Low power consumption: STANDBY

Features

• AS7C1026 (5V version)

• AS7C31026 (3.3V version)

- 28 mW (AS7C1026) / max CMOS I/ O

- 18 mW (AS7C31026) / max CMOS I/ O

• 2.0V data retention

• Easy memory expansion with CE, OE inputs

• TTL-compatible, three-state I/ O

• JEDEC standard packaging

- 44-pin 400 mil SOJ

- 44-pin 400 mil TSOP II

- 48-ball 6 mm × 8 mm CSP mBGA

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

• Industrial and commercial versions

• Organization: 65,536 words x 16 bits

• Center power and ground pins for low noise

• High speed

- 10/ 12/ 15/ 20 ns address access time

- 5/ 6/ 8/ 10 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 880 mW (AS7C1026) / max @ 12 ns

- 396 mW (AS7C31026) / max @ 12 ns

Logic block diagram

Pin arrangement

44-Pin SOJ, TSOP II (400 mil)

V_CC

64K × 16

Array

GND

48-CSP mini Ball-Grid-Array Package

I/ O15

I/ O14

I/ O13

I/ O12

GND

V_CC

I/ O11

I/ O10

I/ O9

I/ O8

A10

A11

I/ O0

I/ O1

I/ O2

I/ O3

V_CC

GND

I/ O4

I/ O5

I/ O6

I/ O7

A15

A14

A13

A12

I/ O8 UB A3

I/ O9 I/ O10 A5

V_SSI/ O11 NC

A4 CE I/ O0

A6 I/ O1 I/ O2

A7 I/ O3 V_DD

I/ O0–I/ O7

I/ O8–I/ O15

I/ O

Control circuit

buffer

Column decoder

V_DDI/ O12 NC NC I/ O4

F I/ O14 I/ O13 A14 A15 I/ O5 I/ O6

G I/ O15 NC A12 A13 WE I/ O7

A9 A10 A11 NC

Selection guide

AS7C1026-12 AS7C1026-15 AS7C1026-20

AS7C31026-10 AS7C31026-12 AS7C31026-15 AS7C31026-20 Unit

Maximum address access time

140

Maximum output enable access time

AS7C1026

AS7C31026

AS7C1026

AS7C31026

–

160

110

150

100

Maximum operating current

125

–

Maximum CMOS standby current

Shaded areas indicate preliminary information.

DID 11-20011-A. 5/ 22/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

12 3 4 5 6 7...10

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