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AS6UA25616-100TI

更新时间： 2024-09-15 20:04:11

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	206K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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AS6UA25616-100TI 数据手册

Advance information

June 2000

AS6UA25616

1.65V to 3.6V 256K×16 Intelliwatt™ low-power CMOS SRAM with one chip enable

• Low power consumption: STANDBY

- 29 µW max at 3.6V

‘Features

• AS6UA25616

- 11 µW max at 2.7V

• Intelliwatt™ active power circuitry

• Industrial and commercial temperature ranges available

• Organization: 262,144 words x 16 bits

• 2.7V to 3.6V at 55 ns

- 9 µW max at 2.3V

• 1.2V data retention

• Equal access and cycle times

• Easy memory expansion with CS, OE inputs

• 2.3V to 2.7V at 70 ns

• 1.65V to 2.3V at 100 ns

• Smallest footprint packages

- 48-ball FBGA

• Low power consumption: ACTIVE

- 54 mW at 3.6V and 55 ns

- 400-mil 44-pin TSOP II

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

- 27 mW at 2.7V and 70 ns

- 14 mW at 2.3 V and 100 ns

Logic block diagram

Pin arrangement (top view)

44-pin 400-mil TSOP II

256K × 16

Array

(4,194,304)

I/ O15

I/ O14

I/ O13

I/ O12

I/ O0

I/ O1

I/ O2

I/ O3

A12

A13

I/ O0–I/ O7

I/ O8–I/ O15

I/ O

Control circuit

buffer

I/ O4

I/ O5

I/ O6

I/ O11

I/ O10

I/ O9

I/ O8

Column decoder

I/ O

A17

A16

A15

A14

A13

A10

A11

A12

Note: A “MODE” pad is to be placed between pins 33 and 34 and 11 and 12,

shorted. The bonding of this pad to V or V configures the device. There should

CC SS

only be 44+2+2 pads on the chip. Two extra V to separate out Array from

Peripheral and Two-Mode Pads.

48-CSP Ball-Grid-Array Package

I/ O8 UB

CS I/ O0

I/ O9 I/ O10 A5

V_SSI/ O11 A17

A6 I/ O1 I/ O2

A7 I/ O3 V_CC

V_CCI/ O12 NC A16 I/ O4 V_SS

I/ O14 I/ O13 A14 A15 I/ O5 I/ O6

I/ O15 NC A12 A13 WE I/ O7

A10 A11

Selection guide

V_CCRange

Power Dissipation

Operating (I_CC1

)

Standby (I_SB2)

Min

(V)

Typ²

(V)

Max

Speed

(ns)

Product

(V)

3.6

2.7

2.3

Max (mA)

Max (µA)

AS6UA25616

AS6UA25616^*

2.7

2.3

3.0

2.5

2.0

1.65

100

6/ 19/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AS6UA25616-55TC	ALSC	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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AS6UA25616-70BI	ALSC	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, CSP, FBGA-48
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AS6UA25616-BC	ETC	获取价格	2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power C
AS6UA25616-BI	ETC	获取价格	2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power C
AS6UA25616-TC	ETC	获取价格	2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power C
AS6UA25616-TI	ETC	获取价格	2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power C
AS6UA25617	ETC	获取价格	1.65V to 3.6V 256K x 16 Intelliwatt low power CMOS SRAM with two chip enables

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