是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DLCC |
包装说明: | SON, SOLCC36,.45 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.04 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDSO-N36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.368 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SON | 封装等效代码: | SOLCC36,.45 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class C | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.4935 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS5C512K8EC-25/H | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8EC-25/IT | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8EC-25/XT | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8EC-25E/883C | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8EC-25E/IT | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8EC-25E/XT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36 | |
AS5C512K8EC-25L | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8EC-25L | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36 | |
AS5C512K8EC-25L/883C | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8EC-25L/H | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |