5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.8 |
| 最小击穿电压： | 50 V | 最大二极管电容： | 1.6 pF |
| 最小二极管电容： | 0.58 pF | 标称二极管电容： | 1.1 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STEP RECOVERY DIODE |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS53C42 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53C51 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53C52 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53D10 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53D42 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53D51 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53D52 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS53N06S | ANBON |
获取价格 |
DFN5*6-8L |
|
| AS53N06S-Q1 | ANBON |
获取价格 |
DFN5*6-8L |
|
| AS5403A | AMSCO |
获取价格 |
3D Hall Position Sensor for Linear and Off-Axis Applications |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
