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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA255,16X16,50 | 针数： | 255 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.4 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B255 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 32 mm |
| 内存密度： | 4831838208 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 255 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64MX72 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA255,16X16,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.035 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.3 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4DDR264M72PBGR-3/ET | AUSTIN | 64Mx72 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR264M72PBGR-3/ET | MICROSS | DDR DRAM, 64MX72, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTI |
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| AS4DDR264M72PBGR-3/IT | AUSTIN | 64Mx72 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR264M72PBGR-3/IT | MICROSS | DDR DRAM, 64MX72, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTI |
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| AS4DDR264M72PBGR-3/XT | AUSTIN | 64Mx72 DDR2 SDRAM iNTEGRATED Plastic Encapsulated Microcircuit |
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| AS4DDR264M72PBGR-3/XT | MICROSS | DDR DRAM, 64MX72, 0.45ns, CMOS, PBGA255, 25 X 32 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTI |
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