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AS4C128M8D3L-12BIN

更新时间： 2024-11-05 01:12:51

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
88页	3401K
描述
internal banks for concurrent operation

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AS4C128M8D3L-12BIN 数据手册

1Gb DDR3L – AS4C128M8D3L

Revision History

AS4C128M8D3L - 78-ball FBGA PACKAGE

Revision Details

Date

Rev 1.0

Rev 2.0

Preliminary datasheet

Added "Backward compatible to VDD & VDDQ = 1.5V +/-

0.075V" - page 2

April 2014

August 2014

Updated Table 12. Recommended DC Operating

Conditions – page 21

Added CL=5 & CL=6 to Table 18 – page 26

Confidential

Rev. 2.0

Aug. /2014

12 3 4 5 6 7...88

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS4C14400	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-40JC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-40TC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-50JC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-50TC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-60JC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-60TC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-70JC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14400-70TC	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)
AS4C14405	ALSC	获取价格	1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)