5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.8 |
| 最小击穿电压： | 40 V | 最大二极管电容： | 0.58 pF |
| 最小二极管电容： | 0.42 pF | 标称二极管电容： | 0.5 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STEP RECOVERY DIODE |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS42B51 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS42B52 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS42C10 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS42C4064C-10/883C | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CDIP24, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
|
| AS42C42 | ASI |
获取价格 |
Step Recovery Diode, Silicon, |
|
| AS42C4256C-10/883 | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, |
|
| AS42C4256C-10/883C | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| AS42C4256C-12/883 | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, |
|
| AS42C4256C-12/883C | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, 256KX4, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| AS42C4256C-8/883 | MICROSS |
获取价格 |
Video DRAM, |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
