是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
Factory Lead Time: | 22 weeks | 风险等级: | 5 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.2 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.2 µA | 最小共模抑制比: | 60 dB |
标称共模抑制比: | 70 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.1 µA | 最大输入失调电压: | 5000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | NO |
低-失调: | NO | 微功率: | NO |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
功率: | NO | 电源: | +-1.5/+-18/3/36 V |
可编程功率: | NO | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 2 mA | 供电电压上限: | 40 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 最小电压增益: | 10000 |
宽带: | NO | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AS358AMTR-G1 | DIODES |
完全替代 |
LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS358AMTR-G1 | BCDSEMI |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358AMTR-G1 | DIODES |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358AP | DIODES |
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Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8 | |
AS358AP-E1 | BCDSEMI |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358AP-E1 | DIODES |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358AP-G1 | BCDSEMI |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358AP-G1 | DIODES |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358B | DIODES |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358BGTR-G1 | DIODES |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
AS358G-E1 | BCDSEMI |
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LOW POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |