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AS29LV800B-70RSC

更新时间： 2024-02-17 11:02:11
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

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AS29LV800B-70RSC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.28最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AS29LV800B-70RSC 数据手册

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AS29LV800  
March 2001  
®
3V 1M × 8/512K × 16 CMOS Flash EEPROM  
• Low power consumption  
- 200 nA typical automatic sleep mode current  
Features  
• Organization: 1M×8/512K×16  
- 200 nA typical standby current  
- 10 mA typical read current  
• JEDEC standard software, packages and pinouts  
- 48-pin TSOP  
- 44-pin SO; availability TBD  
• Detection of program/erase cycle completion  
- DQ7 DATA polling  
- DQ6 toggle bit  
- DQ2 toggle bit  
- RY/BY output  
• Erase suspend/resume  
• Sector architecture  
- One 16K; two 8K; one 32K; and fifteen 64K byte sectors  
- One 8K; two 4K; one 16K; and fifteen 32K word sectors  
- Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom)  
- Erase any combination of sectors or full chip  
• Single 2.7-3.6V power supply for read/write operations  
• Sector protection  
• High speed 70/80/90/120 ns address access time  
• Automated on-chip programming algorithm  
- Automatically programs/verifies data at specified address  
• Automated on-chip erase algorithm  
- Automatically preprograms/erases chip or specified  
sectors  
- Supports reading data from or programming data to a  
sector not being erased  
• Low V write lock-out below 1.5V  
• Hardware RESET pin  
- Resets internal state machine to read mode  
CC  
• 10 year data retention at 150C  
• 100,000 write/erase cycle endurance  
Pin arrangement  
Logic block diagram  
48-pin TSOP  
44-pin SO  
Sector protect/  
erase voltage  
switches  
RY/BY  
DQ0–DQ15  
V
CC  
RY/BY  
A18  
A17  
A7  
1
44  
RESET  
WE  
V
2
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
SS  
Erase voltage  
generator  
Input/output  
buffers  
3
A8  
RESET  
4
A9  
A6  
5
A10  
A11  
A12  
A13  
A14  
A15  
A16  
BYTE  
Program/erase  
control  
A5  
6
WE  
A4  
7
BYTE  
A3  
8
Program voltage  
generator  
Command  
register  
A2  
9
AS29LV800  
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
A0  
STB  
Chip enable  
Output enable  
Logic  
Data latch  
CE  
CE  
OE  
V
V
SS  
SS  
OE  
DQ0  
DQ8  
DQ1  
DQ9  
DQ2  
DQ10  
DQ3  
DQ11  
DQ15/A-1  
DQ7  
A-1  
DQ14  
DQ6  
Y decoder  
Y gating  
STB  
DQ13  
DQ5  
V
detector  
Timer  
CC  
DQ12  
DQ4  
X decoder  
Cell matrix  
V
CC  
A0–A18  
Selection guide  
29LV800-70R* 29LV800-80 29LV800-90 29LV800-120  
Unit  
ns  
Maximum access time  
tAA  
70  
70  
30  
80  
80  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
Maximum chip enable access time  
Maximum output enable access time  
* Regulated voltage range of 3.0 to 3.6V  
tCE  
ns  
tOE  
ns  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 25  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...25

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