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AS29F040DCG-90/MIL

更新时间： 2024-11-20 03:00:27

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MICROSS		可编程只读存储器内存集成电路
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FLASH

AS29F040

512K x 8 FLASH

UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

SPECIFICATIONS

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

Military Equivalent Screening - 883 1.2.2

32-PIN Ceramic DIP (CW)

32-pin Flatpack (F)

32-pin Lead Formed Flatpack (DCG)

FEATURES

•

Single 5.0V ±10% power supply operation

Fastest access times: 55, 60, 70, 90, 120 & 150ns

Low power consumption:

A18

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

VCC

WE\

A17

A14

 20 mA typical active read current

 30 mA typical program/erase current

 1 µA typical standby current (standard access time to

active mode)

28 A13

A11

OE\

A10

CE\

DQ7

•

Flexible sector architecture

 Eight uniform 64 Kbyte each

 Any combination of sectors can be erased

 Supports full chip erase

20 DQ6

•

Sector protection

Embedded Algorithms Erase & Program Algorithms

Erase Suspend/Resume

Minimum 1,000,000 Program/Erase Cycles per sector

guaranteed

DQ5

DQ4

DQ3

32-PAD Ceramic LCC (ECA)

•

Compatible with JEDEC standards

 Pinout and software compatible with single-power-

supply FLASH

•

Data \ Polling and Toggle Bits

20-year data retention at 125°C

4 3 2

32 31 30

A14

A13

A11

OE\

A10

CE\

I/O 7

I/O0

14 15 16 17 18 19 20

OPTIONS

Timing

55ns

60ns

70ns

MARKING

OPTIONS

MARKING

Package Type

Ceramic DIP (600 mil)

Flatpack

Lead Formed Flatpack

Leadless Chip Carrier

DCG

ECA

-55

-60

-70

-90

90ns

120ns

150ns

-120

-150

Temperature Ranges

Industrial Temperature (-40°C to +85°C)

Military Temperature (-55°C to +125°C) XT**

Military Equivalent Screening - 883 1.2.2

MIL

For more products and information;

(-55°C to +125°C)

please visit our web site at

www.micross.com

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

AS29F040 • Rev. 3.1 07/19

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