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Datasheet > 存储 > 闪存> AS29F040-90TC
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AS29F040-90TC

更新时间： 2024-11-18 22:50:11
品牌 Logo 应用领域
ALSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
18页 325K
描述
5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM

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AS29F040-90TC 数据手册

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3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ  
$65<)373  
®
89#845.ð;#&026#)ODVK#((3520  
• 10,000 write/ erase cycle endurance  
• Low power consumption  
)HDWXUHV  
• Organization:512K words × 8 bits  
• Industrial and commercial temperature  
• Sector architecture  
- 30 mA maximum read current  
- 60 mA maximum program current  
- 400 µA typical standby current  
• JEDEC standard software, packages and pinouts  
- 32-pin TSOP  
- 32-pin PLCC  
• Detection of program/ erase cycle completion  
- DQ7 DATApolling  
- DQ6 toggle bit  
• Erase suspend/ resume  
- Supports reading data from or programming data to  
a sector not being erased  
- Eight 64K byte sectors  
- Erase any combination of sectors or full chip  
• Single 5.0±0.5V power supply for read/ write operations  
• Sector protection  
• High speed 55/ 70/ 90/ 120/ 150 ns address access time  
• Automated on-chip programming algorithm  
- Automatically programs/ verifies data at specified  
address  
• Automated on-chip erase algorithm  
- Automatically preprograms/ erases chip or specified  
sectors  
• Low V write lock-out below 2.8V  
CC  
/RJLF#EORFN#GLDJUDP  
3LQ#DUUDQJHPHQW  
A11  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
OE  
A9  
2
A10  
CE  
Sector protect  
DQ0–DQ7  
switches  
A8  
3
V
A13  
A14  
A17  
WE  
4
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
CC  
5
V
SS  
Erase voltage  
generator  
Input/ output  
buffers  
6
AS29F040  
7
V
8
9
CC  
A18  
A16  
A15  
A12  
A7  
V
SS  
Program/ erase  
control  
WE  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
A0  
32-pin PLCC  
Program voltage  
generator  
Command  
register  
A12  
4
A16  
V
A17  
CC  
A6  
A1  
A15  
3
A18  
1
WE  
A2  
A5  
A4  
STB  
Chip enable  
Output enable  
Logic  
Data latch  
A3  
2
32 31 30  
CE  
OE  
A7  
5
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A14  
A13  
A8  
A6  
A5  
6
32-pin TSOP  
7
A4  
8
A9  
AS29F040  
Y decoder  
Y gating  
Cell matr  
STB  
A3  
A11  
OE  
A10  
CE  
9
A2  
10  
11  
12  
13  
V
detector  
Timer  
CC  
A1  
X decoder  
A0  
DQ0  
DQ7  
A0–A18  
14 15 16 17 18 19 20  
DQ1 DQ4 DQ6  
V
SS  
DQ2  
DQ3  
DQ5  
6HOHFWLRQ#JXLGH  
AS29F040-55 AS29F040-70 AS29F040-90 AS29F040-120 AS29F040-150 Unit  
Maximum access time  
tAA 55  
tCE 55  
70  
70  
30  
90  
90  
35  
120  
120  
50  
150  
150  
55  
ns  
ns  
ns  
Maximum chip enable access time  
Maximum output enable access time tOE 25  
','#440533440$1#728233  
$//,$1&(#6(0,&21'8&725  
4
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1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS29F040-90TI ALSC

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 		5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM
AS29F040CW-120/883C AUSTIN

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 		512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
AS29F040CW-120/IT AUSTIN

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 		512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
AS29F040CW-120/MIL MICROSS

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 		Flash,
AS29F040CW-120/Q AUSTIN

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 		512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
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 		512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
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 		512K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY
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 		Flash,
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