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AS28C010CW-12/XT

更新时间： 2024-02-28 20:34:34

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MICROSS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	324K
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EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP32, CERDIP-32

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AS28C010CW-12/XT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	100 YEAR DATA RETENTION	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	42.2 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

AS28C010CW-12/XT 数据手册

EEPROM

AS28C010

128K x 8 EEPROM

EEPROM Memory

5 Volt, Byte Alterable

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

32-Pin CFP (F), 32-Pin CerDIP (CW)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

ꢀ SMD 5962-38267

ꢀ MIL-STD-883

RDY/BUSY\

A16

A14

A12

32 Vcc

31 A15

30 RES\

29 WE\

28 A13

27 A8

FEATURES

ꢀ Access speed: 120, 150, 200, and 250ns

ꢀ Data Retention: 100 Years

26 A9

ꢀ Low power, active current: 50mA, standby current: 500uA

ꢀ Single +5V (+10%) power supply

ꢀ Data Polling and Ready/Busy Signals

ꢀ Erase/Write Endurance (10,000 byte mode / 100,000 page

mode)

ꢀ Software Data protection Algorithm

ꢀ Data Protection Circuitry during power on/off

ꢀ Hardware Data Protection

25 A11

24 OE\

23 A10

22 CE\

21 I/O 7

20 I/O 6

19 I/O 5

18 I/O 4

17 I/O 3

I/O 0

I/O 1

I/O 2

Vss

ꢀ Automatic , Self-Timed Byte Write

ꢀ Automatic Programming:

Automatic Page Write: 10ms (MAX)

OPTIONS

ꢀ Timing

MARKINGS

150ns access

200ns access

250ns access

-15

-20

-25

ꢀ Packages

Ceramic Flat Pack

CerDIP, 600 mil

ꢀ Operating Temperature Ranges

-Military (-55^oC to +125^oC)

-Industrial (-40^oC to +85^oC)

-Full Military Processing

*NOTE: Package lid is connected to ground (Vss).

GENERAL DESCRIPTION

ware data protection is provided , in addition to noise protection on

the WE signal and write inhibit during power on and off. Software

data protection is implemented using JEDEC Optional Standard

algorithm.

The AS28C010 is designed for high reliability in the most

demanding applications. Data retention is speciﬁed for 100 years and

erase/write endurance is guaranteed to a minimum of 100,000 cycles

in the Page Mode and 10,000 cycles in the Byte Mode.

The Austin Semiconductor, Inc. AS28C010 is a 1 Megabit CMOS

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (EEPROM)

organized as 131, 072 x 8 bits. TheAS28C010 is capable of in system

electrical Byte and Page reprogrammability.

The AS28C010 achieves high speed access, low power

consumption, and a high level of reliability by employing advanced

CMOS process and circuitry technology.

This device has a 256-Byte Page Programming function to make

its erase and write operations faster. The AS28C010 features Data

Polling and a Ready/Busy signal to indicate completion of erase and

programming operations.

For more products and information

please visit our web site at

www.micross.com

This EEPROM provides several levels of data protection. Hard-

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

AS28C010

Rev. 1.6 01/10

12 3 4 5 6 7...14

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