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AS11D10

更新时间: 2024-11-09 19:25:55
品牌 Logo 应用领域
ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
Step Recovery Diode, Silicon,

AS11D10 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-CEMW-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.8
最小击穿电压:10 V最大二极管电容:3 pF
最小二极管电容:1.6 pF标称二极管电容:2.3 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:STEP RECOVERY DIODE
JESD-30 代码:O-CEMW-N2端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:MICROWAVE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

AS11D10 数据手册

  

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