ARF521

更新时间： 2024-11-19 08:34:23

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF521 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC, SOE, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF521 数据手册

ARF521

165V, 150W, 150MHz

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

The ARF521 is an RF power transistor designed for high voltage operation in

broadband HF, narrow band ISM and MRI power ampliﬁers up to 150MHz.

• High Voltage Breakdown and Large SOA

• Speciﬁed 125 Volt, 81MHz Characteristics:

Output Power = 150 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

for Superior Ruggedness.

• Industry Standard Package

• Low Vth Thermal Coefﬁcient

Efﬁciency = 50%

Maximum Ratings

All Ratings: T_C=25°C unless otherwise speciﬁed

Symbol

Parameter

ARF521

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

500

I_D

V_GS

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

±30

P_D

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 Sec.

250

T_J, T_STG

T_L

-55 to 175

300

°C

Static Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 μA)

Drain-Source On-State Resistance ¹(I_D(ON)= 5A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 50V, V_GS= 0, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_DS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 15V, I_D= 5A)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 200mA)

500

V_DS(ON)

0.56

0.8

I_DSS

μA

250

±100

I_GSS

g_fs

3.6

mhos

Volts

V_GS(TH)

Thermal Characteristics

Symbol

Characteristic

Min

Typ

Max

Unit

Junction to Case Thermal Resistance

0.60

R_θ

°C/W

Case to Sink (Use High Efﬁciency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.1

R_θ

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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