ARF521

更新时间： 2024-11-19 03:19:27

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs

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ARF521 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ARF521 数据手册

ARF521

APT

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

165V 150W 150MHz

TheARF521isanRFpowertransistordesignedforhighvoltageoperationinbroadbandHF,narrowbandISMandMRI

power amplifiers up to 150MHz.

• Specified125Volt,81MHzCharacteristics:

• High Voltage Breakdown and Large SOA

for Superior Ruggedness.

•

Output Power = 150 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

Efficiency = 50%

• Industry standard package

• Low Vth thermal coefficient

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

ARF521

500

UNIT

Volts

Amps

V_DSS

Drain-Source Voltage

I_D

V_GS

P_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

±30

Volts

250

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Watts

T_J,T_STG

T_L

-55 to 175

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

500

R_DS_(ON)

Drain-Source On-State Resistance (I_D_(ON)= 5A, V_GS= 10V)

0.56

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 50V, V_GS= 0, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 15V, I_D= 5A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

mhos

Volts

3.6

V_GS_(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 200mA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θCS

Junction to Case

0.60

°C/W

Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.1

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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