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ARF473

更新时间： 2024-11-19 06:37:39

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs

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ARF473 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF473 数据手册

Common Source

Push-Pull Pair

ARF473

(Flange)

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

165 V 300 W 150 MHz

TheARF473isamatchedpairofRFpowertransistorsinacommonsourceconfiguration.Itisdesignedforhighvoltage

push-pull or parallel operation in narrow band ISM and MRI power amplifiers up to 150 MHz.

• Specified 135 Volt, 130 MHz Characteristics:

• High Performance Push-Pull RF Package.

•

Output Power = 300 Watts.

Gain = 13dB (Class AB)

Efficiency = 50%

• High Voltage Breakdown and Large SOA

for Superior Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

ARF473

500

UNIT

V_DSS

Drain-Source Voltage

Volts

I_D

V_GS

P_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

(each device)

Amps

±30

Volts

500

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Watts

T_J,T_STG

T_L

-55 to 200

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

500

Volts

V_DS

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 5A, V_GS= 10V)

(ON)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 50V, V_GS= 0, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 5A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

0.9

mhos

g_fs1g_fs2

1.1

Forward Transconductance Match Ratio (V_DS= 25V, I_D= 5A)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 200mA)

V_GS

(TH)

Volts

∆V_GS

0.1

Gate Threshold Voltage Match (V_DS= V_GS, I_D= 200mA)

(TH)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θCS

Junction to Case

0.35

°C/W

Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.1

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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