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ARF448

更新时间： 2024-02-14 02:13:41
品牌 Logo 应用领域
ADPOW /
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF448 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：13 dB
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：65 ns
最大开启时间（吨）：25 nsBase Number Matches：1

ARF448 数据手册

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D
S
ARF448A  
ARF448B  
G
TO-247  
Common  
Source  
RF POWER MOSFETs  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
150V 250W 65MHz  
The ARF448A and ARF448B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-  
pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 65 MHz.  
• Low Cost Common Source RF Package.  
• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.  
• Low Thermal Resistance.  
• Specified 150 Volt, 40.68 MHz Characteristics:  
•
•
•
Output Power = 250 Watts.  
Gain = 15dB (Class C)  
Efficiency = 75%  
• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
ARF448A/448B  
UNIT  
VDSS  
VDGO  
ID  
Drain-Source Voltage  
450  
450  
Volts  
Drain-Gate Voltage  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
15  
Amps  
Volts  
Watts  
°C/W  
VGS  
±30  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Junction to Case  
230  
RθJC  
TJ,TSTG  
TL  
0.55  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions  
UNIT  
Symbol  
BVDSS  
MIN  
TYP  
MAX  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 µA)  
450  
Volts  
1
VDS(ON)  
On State Drain Voltage (ID(ON) = 7.5A, VGS = 10V)  
3
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 7.5A)  
25  
IDSS  
µA  
250  
±100  
IGSS  
gfs  
nA  
5
2
8.5  
mhos  
Volts  
VGS(TH)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)  
5
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

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