ARF447

更新时间： 2024-01-07 04:29:32

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ADPOW		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF447 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	230 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ARF447 数据手册

ARF446

ARF447

TO-247

Common

Source

RF POWER MOSFETs

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 250W 65MHz

The ARF446 and ARF447 comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-pull

scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 65 MHz.

• Low Cost Common Source RF Package.

• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

• Low Thermal Resistance.

• Specified 250 Volt, 40.68 MHz Characteristics:

•

Output Power = 250 Watts.

Gain = 15dB (Class C)

Efficiency = 75%

• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

ARF446/447

900

UNIT

V_DSS

V_DGO

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Drain-Gate Voltage

900

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

6.5

Amps

Volts

Watts

°C/W

V_GS

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Junction to Case

230

R_θJC

T_J,T_STG

T_L

0.55

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristic / Test Conditions

UNIT

Symbol

BV_DSS

MIN

TYP

MAX

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

900

Volts

V_DS(ON)

On State Drain Voltage (I_D(ON) = 3.5A, V_GS= 10V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 3.5A)

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

g_fs

5.7

mhos

Volts

V_GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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ARF448	ADPOW	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格
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