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ARF446G

更新时间: 2024-01-25 08:49:49
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美高森美 - MICROSEMI 晶体射频场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

ARF446G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.74
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6.5 A
最大漏极电流 (ID):6.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-247AD
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):230 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ARF446G 数据手册

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