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ARF301

更新时间： 2024-02-25 22:02:26
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
RF POWER MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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ARF301 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, T11, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CDFM-F6
端子数量：6最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：833 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ARF301 数据手册

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ARF301  
125V, 300W, 45MHz  
RF POWER MOSFET  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
TheARF301 is a P-CHANNELRF power transistor in a high efficiency flangeless package.  
It is designed for high voltage operation in narrow band ISM and MRI power amplifiers at  
frequencies up to 45MHz. The transistor is well matched to the ARF300 N-CHANNEL RF  
power transistor making the pair well suited for bridge configurations  
• Specified 125 Volt, 27 MHz Characteristics:  
Output Power = 300 Watts.  
Gain = 15dB (Class E)  
• High Performance  
• High Voltage Breakdown and Large SOA  
for Superior Ruggedness  
Efficiency = 80%  
• Low Thermal Resistance.  
• RoHS Compliant  
• Capacitance matched with ARF300 N-Channel  
Maximum Ratings  
All Ratings: TC =25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
500  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
VDGO  
ID  
Drain-Gate Voltage  
500  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
20  
A
V
VGS  
±30  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063” from Case for 10 Sec.  
833  
W
TJ, TSTG  
TL  
-55 to 175  
300  
°C  
Static Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 μA)  
On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 10A, VGS = 10V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 50VDSS, VGS = 0, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VDS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 15V, ID = 10A)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 10mA)  
500  
V
VDS(ON)  
8
10  
25  
IDSS  
μA  
250  
±100  
IGSS  
gfs  
nA  
5
8
mhos  
Volts  
VGS(TH)  
-2.5  
- 4  
-5  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
0.15  
0.27  
Unit  
RθJC  
Junction to Case  
°C/W  
RθJHS  
Junction to Sink (High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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