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ARF1505

更新时间： 2024-11-09 06:37:39
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ADPOW /
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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ARF1505 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, S-CDFP-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：1200 V最大漏极电流 (ID)：25 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：S-CDFP-F6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

ARF1505 数据手册

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S
D
S
ARF1505  
D
ARF1505  
BeO  
1525-xx  
G
S
RF POWER MOSFET  
S
G
S
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
300V 750W 40MHz  
The ARF1505 is an RF power transistor designed for off-line 300V operation in very high power scientific, commercial,  
medical and industrial RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.  
• Specified 300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:  
• High Performance Power RF Package.  
•
•
•
Output Power = 750 Watts.  
Gain = 17dB (Class C)  
Efficiency>75%  
• Very High Breakdown for Improved Ruggedness.  
• Low Thermal Resistance.  
• Nitride Passivated Die for Improved Reliability.  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol Parameter  
ARF1505  
1200  
UNIT  
Volts  
Amps  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
ID  
VGS  
PD  
25  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Gate-Source Voltage  
±30  
Volts  
1500  
Total Device Dissipation @ TC = 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
Watts  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 200  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 µA)  
1200  
Volts  
1
VDS  
On State Drain Voltage (ID(ON) = 12.5A, VGS = 10V)  
8
9.5  
100  
(ON)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 12.5A)  
IDSS  
µA  
1000  
±400  
IGSS  
gfs  
nA  
5.5  
2500  
3
6
mhos  
Volts  
Volts  
RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)  
Visolation  
5
VGS  
(TH)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
RθJC  
RθCS  
Junction to Case  
0.12  
°C/W  
Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)  
0.09  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
1234

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