ARF1501

更新时间： 2024-11-06 22:05:47

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	116K
描述
RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ARF1501 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, S-CDFP-F6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	S-CDFP-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ARF1501 数据手册

ARF1501

ARF1500

BeO

135-05

RF POWER MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

250V 1500W 40MHz

The ARF1501 is an RF power transistor designed for very high power scientific, commercial, medical and industrial RF

power generator and amplifier applications up to 40 MHz.

Specified300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:

High Performance Power RF Package.

Output Power = 900 Watts.

Gain = 17dB (Class C)

Efficiency>75%

Very High Breakdown for Improved Ruggedness.

Low Thermal Resistance.

Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

ARF 1500

1000

UNIT

Volts

Amps

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_DGO

I_D

Drain-Gate Voltage

1000

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Gate-Source Voltage

V_GS

P_D

±30

Volts

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

1500

Watts

T_J,T_STG

T_L

-55 to 200

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

1000

Volts

V_DS

On State Drain Voltage (I_D_(ON)= 15A, V_GS= 10V)

(ON)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Forward Transconductance (V_DS= 25V, I_D= 12.5A)

100

I_DSS

µA

1000

±400

I_GSS

g_fs

2500

5.3

mhos

Volts

V_isolation

RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 50mA)

V_GS

(TH)

Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θCS

Junction to Case

0.12

°C/W

Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

0.09

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA:

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 5792 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 479761

EUROPE:

中文翻译

下载PDF

与ARF1501相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ARF1501_05	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF1502	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF1505	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
ARF1505	MICROSEMI	获取价格	RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ARF1510	MICROSEMI	获取价格	RF POWER MOSFET FULL-BRIDGE
ARF1510	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET
ARF1511	MICROSEMI	获取价格	RF POWER MOSFET FULL-BRIDGE
ARF1511	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET
ARF1518	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET
ARF1519	ADPOW	获取价格	RF POWER MOSFET

与ARF1501相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ARF1501

ARF1501 技术参数

ARF1501 数据手册

与ARF1501相关器件

与ARF1501相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ARF1501

ARF1501 技术参数

ARF1501 数据手册

与ARF1501相关器件

与ARF1501相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？