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APTM100DU18T PDF预览

APTM100DU18T

更新时间： 2024-11-24 04:06:39
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ADPOW /
页数 文件大小 规格书
6页 313K
描述
Dual common source MOSFET Power Module

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APTM100DU18T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X12元件数量：2
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：172 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTM100DU18T 数据手册

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APTM100DU18T  
VDSS = 1000V  
Dual Common Source  
RDSon = 180mΩ max @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 43A @ Tc = 25°C  
Application  
D1  
D2  
•
•
•
AC Switches  
Q1  
Q2  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
G1  
G2  
Features  
•
Power MOS 7® MOSFETs  
S1  
-
-
-
-
-
Low RDSon  
S2  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
S
NTC1  
NTC2  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
G2  
S2  
D2  
D2  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
D1  
S
S1  
G1  
S2  
G2  
NTC2  
NTC1  
•
Low profile  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
1000  
V
Tc = 25°C  
43  
33  
172  
±30  
180  
780  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
25  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
3000  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 – 6  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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