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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTC60AM18SC
APTC60AM18SC PDF预览

APTC60AM18SC

更新时间： 2024-11-27 04:06:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 312K
描述
Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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APTC60AM18SC 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：143 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：572 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTC60AM18SC 数据手册

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APTC60AM18SC  
Phase leg  
VDSS = 600V  
Series & SiC parallel diodes  
Super Junction  
RDSon = 18mꢀ max @ Tj = 25°C  
ID = 143A @ Tc = 25°C  
MOSFET Power Module  
Application  
Sꢀ Motor control  
Sꢀ Switched Mode Power Supplies  
Sꢀ Uninterruptible Power Supplies  
Features  
Sꢁ  
-
-
-
-
Ultra low RDSon  
Low Miller capacitance  
Ultra low gate charge  
Avalanche energy rated  
Sꢀ Parallel SiC Schottky Diode  
-
-
-
-
Zero reverse recovery  
Zero forward recovery  
Temperature Independent switching behavior  
Positive temperature coefficient on VF  
Sꢀ Kelvin source for easy drive  
Sꢀ Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
G1  
VBUS  
0/VBUS  
OUT  
Sꢀ High level of integration  
S1  
Benefits  
S2  
G2  
Sꢀ Outstanding performance at high frequency operation  
Sꢀ Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Sꢀ Low junction to case thermal resistance  
Sꢀ Low profile  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
Continuous Drain Current  
600  
143  
107  
572  
±30  
18  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
ID  
A
IDM  
VGS  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
Drain - Source ON Resistance  
V
mꢀ  
W
RDSon  
PD  
IAR  
EAR  
EAS  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
833  
20  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
A
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
1800  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 – 7  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1234567

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