APT84F50B2

更新时间： 2024-11-06 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT84F50B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	1845 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	84 A	最大漏极电流 (ID)：	84 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	185 pF	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1135 W	最大功率耗散 (Abs)：	1135 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	270 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	155 ns	最大开启时间（吨）：	60 ns
Base Number Matches：	1

APT84F50B2 数据手册

APT84F50B2

APT84F50L

500V,ꢀ84A,ꢀ0.065ΩꢀMax,ꢀt ≤320ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

T-Max^TM

TO-264

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

APT84F50B2

APT84F50L

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

•ꢀꢀFastꢀswitchingꢀwithꢀlowꢀEMI

•ꢀ ZVSꢀphaseꢀshiftedꢀandꢀotherꢀfullꢀbridge

ꢀ •ꢀꢀLowꢀt ꢀforꢀhighꢀreliability

•ꢀꢀHalfꢀbridge

ꢀ •ꢀꢀUltraꢀlowꢀC ꢀforꢀimprovedꢀnoiseꢀimmunity

•ꢀꢀPFCꢀandꢀotherꢀboostꢀconverter

•ꢀ Buckꢀconverter

rss

ꢀ •ꢀꢀLowꢀgateꢀcharge

ꢀ •ꢀꢀAvalancheꢀenergyꢀrated

•ꢀꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀꢀSingleꢀandꢀtwoꢀswitchꢀforward

•ꢀꢀFlyback

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

270

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

1845

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

1135

0.11

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M3 screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

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