是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 1845 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 84 A | 最大漏极电流 (ID): | 84 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 185 pF | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 1135 W | 最大功率耗散 (Abs): | 1135 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 270 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | PURE MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 155 ns | 最大开启时间(吨): | 60 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT84F50L | MICROSEMI |
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N-Channel FREDFET | |
APT84M50B2 | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT84M50B2_09 | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT84M50L | MICROSEMI |
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N-Channel MOSFET | |
APT85GR120B2 | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules | |
APT85GR120J | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules | |
APT85GR120JD60 | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules | |
APT85GR120L | MICROSEMI |
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Power Semiconductors Power Modules | |
APT8DQ60K | MICROSEMI |
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ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE | |
APT8DQ60K | ADPOW |
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ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |