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APT83GU30B

更新时间： 2024-11-21 20:07:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	90K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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APT83GU30B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	581 ns
标称接通时间 (ton)：	98 ns	Base Number Matches：	1

APT83GU30B 数据手册

APT83GU30B

APT83GU30S

300V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

D³PAK

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT83GU30B_S

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

300

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @

100

T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_CM

295

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

295A @ 300V

543

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

300

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 25°C)

4.5

1.5

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 45A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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与APT83GU30B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT83GU30BG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
APT83GU30S	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
APT83GU30S	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30SG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
APT-8465	AGILENT	获取价格	7900MHz - 8400MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT-8465R	AGILENT	获取价格	7900MHz - 8400MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
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