APT80M60J

更新时间： 2024-09-15 04:06:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel MOSFET

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APT80M60J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3350 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	445 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT80M60J 数据手册

APT80M60J

600V, 80A, 0.060Ω Max

N-Channel MOSFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

"UL Recognized"

file # E145592

ISOTOP^®

APT80M60J

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

445

±30

3350

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

960

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.13

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

0.15

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

2500

1.03

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

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