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APT80GP60JDF3

更新时间： 2024-11-21 19:51:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES

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APT80GP60JDF3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：ISOTOP
包装说明：,针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：151 A集电极-发射极最大电压：600 V
门极-发射极最大电压：20 V元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大功率耗散 (Abs)：462 W
子类别：Insulated Gate BIP TransistorsBase Number Matches：1

APT80GP60JDF3 数据手册

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APT80GP60JDF3  
600V  
®
E
POWER MOS 7 IGBT  
E
The POWER MOS 7® IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.  
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,  
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency  
switchmode power supplies.  
C
G
SOT-227  
• Low Conduction Loss  
• Low Gate Charge  
• 100 kHz operation @ 400V, 39A  
• 50 kHz operation @ 400V,59A  
• SSOA rated  
ISOTOP®  
C
G
• Ultrafast Tail Current shutoff  
E
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
APT80GP60JDF3  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
VCES  
VGE  
600  
±20  
±30  
Volts  
VGEM  
IC1  
Gate-Emitter Voltage Transient  
151  
68  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
IC2  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
Amps  
1
ICM  
330  
Pulsed Collector Current  
@ TC = 150°C  
SSOA  
PD  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
330A @ 600V  
462  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1250µA)  
600  
3
VGE(TH) Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 2.5mA, Tj = 25°C)  
4.5  
2.2  
2.1  
6
Volts  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 80A, Tj = 25°C)  
2.7  
VCE(ON)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 80A, Tj = 125°C)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
1250  
5500  
±100  
µA  
nA  
ICES  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
IGES  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT80GP60JDQ3 ADPOW

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