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APT80GP60J

更新时间： 2024-11-05 08:33:35

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT80GP60J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	151 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	462 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	284 ns
标称接通时间 (ton)：	87 ns	Base Number Matches：	1

APT80GP60J 数据手册

APT80GP60J

600V

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

SOT-227

"UL Recognized"

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 400V, 39A

• 50 kHz operation @ 400V, 59A

• SSOA rated

ISOTOP^®

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

UNIT

APT80GP60J

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

V_CES

V_GE

600

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

151

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM

330

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

330A @ 600V

462

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.0mA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 2.5mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 80A, T_j= 25°C)

4.5

2.2

2.1

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 80A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

1.0

I_CES

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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