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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1041 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 284 ns | 标称接通时间 (ton)： | 87 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT80GP60J | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT80GP60JD3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
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| APT80GP60JDF3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES |
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| APT80GP60JDQ3 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT80M60J | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT80M60J_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT80SM120B | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| APT81H50B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 500V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| APT81H50L | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 500V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT-8255 | AGILENT |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, 2000MHz Min, 8000MHz Max, |
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