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APT80GP60B2

更新时间： 2024-11-04 21:55:31

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
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6页	96K
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POWER MOS 7 IGBT

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APT80GP60B2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1041 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	284 ns	标称接通时间 (ton)：	87 ns
Base Number Matches：	1

APT80GP60B2 数据手册

APT80GP60B2

600V

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

highvoltageswitchingapplicationsandhasbeenoptimizedforhighfrequency

switchmode power supplies.

T-Max^TM

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

•200 kHz operation @ 400V, 45A

•100 kHz operation @ 400V, 72A

•SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

UNIT

APT80GP60B2

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

V_CES

V_GE

600

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current ⁷@ T_C= 25°C

100

330

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

330A @ 600V

1041

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.0mA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 2.5mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 80A, T_j= 25°C)

4.5

2.2

2.1

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 80A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

1.0

I_CES

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT80GP60J	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
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APT80GP60JDF3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES
APT80GP60JDQ3	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT80M60J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT80M60J_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT80SM120B	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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APT81H50L	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 500V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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