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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 145 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 320 ns | 标称接通时间 (ton)： | 49 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT80GA90S | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT80GP60B2 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT80GP60B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 |
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| APT80GP60J | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT80GP60JD3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 |
|
| APT80GP60JDF3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES |
|
| APT80GP60JDQ3 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
|
| APT80M60J | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT80M60J_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| APT80SM120B | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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