Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT8090BNR-GULLWING

APT8090BNR-GULLWING

更新时间： 2024-11-05 13:05:39

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN

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APT8090BNR-GULLWING 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	310 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT8090BNR-GULLWING 数据手册

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TO-247

APT8075BN 800V 13.0A 0.75Ω

APT8090BN 800V 12.0A 0.90Ω

POWER MOS IV^®

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT

Symbol Parameter

8075BN

8090BN

UNIT

V_DSS

800

Volts

Drain-Source Voltage

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

I_DM

V_GS

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage

±30

310

2.48

Volts

Watts

W/°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

P_D

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions / Part Number

MIN

800

TYP

MAX

UNIT

APT8075BN

APT8090BN

APT8075BN

APT8090BN

APT8075BN

APT8090BN

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

Volts

(V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

On State Drain Current

I_D(ON)

Amps

Ohms

µA

(V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON) Max, V_GS= 10V)

0.75

0.90

250

1000

±100

Drain-Source On-State Resistance

R_DS(ON)

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

I_GSS

V_GS(TH)

Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

MIN

TYP

MAX

0.40

UNIT

R_θJC

Junction to Case

Junction to Ambient

°C/W

R_θJA

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 556 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT8090CN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT8090DN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT8090HN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 10.5A I(D) \| TO-258ISO
APT80F60J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT80F60J_11	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT80GA60B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA60LD40	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA60S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA90B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA90B2D40	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COM

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