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APT8090BNR-BUTT

更新时间: 2024-11-25 20:13:39
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美高森美 - MICROSEMI 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
12A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

APT8090BNR-BUTT 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):1210 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

APT8090BNR-BUTT 数据手册

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