Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT8090BNR-BUTT

APT8090BNR-BUTT

更新时间： 2024-11-21 12:59:51

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT8090BNR-BUTT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	310 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT8090BNR-BUTT 数据手册

TO-247

APT8075BN 800V 13.0A 0.75Ω

APT8090BN 800V 12.0A 0.90Ω

POWER MOS IV^®

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT

Symbol Parameter

8075BN

8090BN

UNIT

V_DSS

800

Volts

Drain-Source Voltage

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

I_DM

V_GS

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage

±30

310

2.48

Volts

Watts

W/°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

P_D

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions / Part Number

MIN

800

TYP

MAX

UNIT

APT8075BN

APT8090BN

APT8075BN

APT8090BN

APT8075BN

APT8090BN

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

Volts

(V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

On State Drain Current

I_D(ON)

Amps

Ohms

µA

(V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON) Max, V_GS= 10V)

0.75

0.90

250

1000

±100

Drain-Source On-State Resistance

R_DS(ON)

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

I_GSS

V_GS(TH)

Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

MIN

TYP

MAX

0.40

UNIT

R_θJC

Junction to Case

Junction to Ambient

°C/W

R_θJA

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 556 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT8090BNR-BUTT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT8090BNR-GULLWING	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT8090CN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT8090DN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT8090HN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 10.5A I(D) \| TO-258ISO
APT80F60J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT80F60J_11	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT80GA60B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA60LD40	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA60S	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT
APT80GA90B	MICROSEMI	获取价格	High Speed PT IGBT

与APT8090BNR-BUTT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT8090BNR-BUTT

APT8090BNR-BUTT 技术参数

APT8090BNR-BUTT 数据手册

与APT8090BNR-BUTT相关器件

与APT8090BNR-BUTT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT8090BNR-BUTT

APT8090BNR-BUTT 技术参数

APT8090BNR-BUTT 数据手册

与APT8090BNR-BUTT相关器件

与APT8090BNR-BUTT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？