Datasheet > APT8052SLL

APT8052SLL

更新时间： 2024-11-25 20:20:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	154K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT8052SLL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	295 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT8052SLL 数据手册

APT8052BLL

APT8052SLL

800V 15A 0.520Ω

BLL

POWER MOS 7 MOSFET

D³PAK

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

TO-247

SLL

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• IncreasedPowerDissipation

• Easier To Drive

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT8052BLL_SLL

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±30

±40

Watts

W/°C

298

P_D

2.38

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1210

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 7.5A)

0.52

100

500

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 640V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与APT8052SLL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT-8056	AGILENT	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 4000MHz Min, 8000MHz Max,
APT8056BVFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8056BVFR_04	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8056BVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT-8056R	AGILENT	获取价格	4000MHz - 8000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT8058HVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8065	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8065AVR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8065BVFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8065BVFR_05	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

与APT8052SLL相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT8052SLL

APT8052SLL 技术参数

APT8052SLL 数据手册

与APT8052SLL相关器件

与APT8052SLL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT8052SLL

APT8052SLL 技术参数

APT8052SLL 数据手册

与APT8052SLL相关器件

与APT8052SLL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？