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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 405 ns | 标称接通时间 (ton)： | 68 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT60GU30SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
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| APT60M60JFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT60M60JFLL_03 | ADPOW |
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POWER MOS 7 R FREDFET |
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| APT60M60JLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT60M60JLL_03 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 R MOSFET |
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| APT60M75 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT60M75JFLL | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT60M75JFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT60M75JFLL_04 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 R FREDFET |
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| APT60M75JLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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