Datasheet > APT60GU30B

APT60GU30B

更新时间： 2024-11-11 08:33:35

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	167K
描述
POWER MOS 7 IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT60GU30B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	405 ns
标称接通时间 (ton)：	68 ns	Base Number Matches：	1

APT60GU30B 数据手册

TYPICALPERFORMANCECURVES

APT60GU30B_S

APT60GU30B

APT60GU30S

300V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

D³PAK

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT60GU30B_S

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

300

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @

100

T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_CM

200

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

200A @ 300V

417

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 250µA)

300

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 30A, T_j= 25°C)

4.5

1.5

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 30A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

250

2500

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与APT60GU30B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT60GU30BG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
APT60GU30S	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT60GU30S	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
APT60GU30SG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3
APT60M60JFLL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT60M60JFLL_03	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 R FREDFET
APT60M60JLL	ADPOW	获取价格	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po
APT60M60JLL_03	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 R MOSFET
APT60M75	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT60M75JFLL	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT60GU30B相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT60GU30B

APT60GU30B 技术参数

APT60GU30B 数据手册

与APT60GU30B相关器件

与APT60GU30B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT60GU30B

APT60GU30B 技术参数

APT60GU30B 数据手册

与APT60GU30B相关器件

与APT60GU30B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？