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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 495 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 84 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT60GU30B | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT60GU30B | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT60GU30BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT60GU30S | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT60GU30S | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
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| APT60GU30SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, D2PAK-3 |
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| APT60M60JFLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT60M60JFLL_03 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 R FREDFET |
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| APT60M60JLL | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
|
| APT60M60JLL_03 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 R MOSFET |
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